الرجاء كتابة 2 حروف على الأقل
الرجاء كتابة 2 حروف على الأقل
تصفح الأقسام
شنط وملحقات السفر
الجوالات و الالكترونيات
أجهزة الكمبيوتر وملحقاتها
التلفزيونات الذكية وملحقاتها
الأدوات المدرسية
ألعاب و وسائل تعليم الأطفال
الأدوات المكتبية
مستلزمات الرسم والأشغال اليدوية
الكتب العربية
الكتب الانجليزية
كتب صوتية والكترونية
ألعاب الفيديو
البطاقات الالكترونية
الالات الموسيقية
Item 1 of 1
Item 1 of 1
LAP Lambert Academic Publishing
Influence of Temperature on Nanoscale Semiconductor Devices
376ر.س.
شامل ضريبة القيمة المضافة
22ر.س.شهرياً/24 شهر
هذا الكتاب يُطبع عند الطلب وغير قابل للاسترجاع بعد الشراء
الصيغ المتوفرة:
كتاب مطبوع
سيتم إرسال الطلب الى عنوانك
376ر.س.
شامل الضريبة
استبدال أسهل
تسوّق آمن
أصلي ومضمون
توصيل سريع
أو
عن المنتج
The book investigates the impact of temperature on electron transport in Double-Gate (DG) and Silicon-On-Insulator (SOI) MOSFETs using a quasi-ballistic transport model. By employing the NanoMOS simulation tool, the study examines key transport parameters such as drain current, electron velocity, 2D electron density, and channel resistance over a temperature range of 50K to 850K and varying doping concentrations. The results show that SOI MOSFETs outperform DG MOSFETs at higher temperatures and doping levels, offering better electron mobility and stronger on-state current. However, DG MOSFETs are more suitable for smaller channel lengths due to their superior on-state current at 10 nm. The findings suggest that temperature and doping concentration significantly influence MOSFET performance, providing insights into optimizing device design for high-performance applications.
أبلغ عن مشكلة مع هذا المنتج
