مكتبة جرير

Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology

كتاب مطبوع
1,510ر.س.
شامل ضريبة القيمة المضافة
وحدة البيع: EACH
91ر.س.شهرياً/24 شهر
المؤلف:Pacchioni, Gianfranco
تاريخ النشر: 2000
تصنيف الكتاب:كتب الهندسة,الكتب الانجليزية
عدد الصفحات:636 Pages
الصيغة:غلاف ورقي
هذا الكتاب يُطبع عند الطلب وغير قابل للاسترجاع بعد الشراء

الصيغ المتوفرة:

كتاب مطبوع

سيتم إرسال الطلب الى عنوانك

1,510ر.س.
شامل الضريبة

حدد خيار التوصيل الذي تفضله

أو

عن المنتج

Silicon dioxide plays a central role in most contemporary electronic and photonic technologies, from fiber optics for communications and medical applications to metal-oxide-semiconductor devices. Many of these applications directly involve point defects, which can either be introduced during the manufacturing process or by exposure to ionizing radiation. They can also be deliberately created to exploit new technologies.
This book provides a general description of the influence that point defects have on the global properties of the bulk material and their spectroscopic characterization through ESR and optical spectroscopy.
عرض أكثر

المواصفات

رقم الصنف9780792366867
رقم المصنع9780792366867
تاريخ النشر2000
عرض أكثر

أبلغ عن مشكلة مع هذا المنتج

مراجعات العملاء